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Um capacitor de placas paralelas de área A e distancia 3h possui duas placas metálicas
idênticas, de espessura h e área A cada uma. Compare a capacitância C deste capacitor com a capacitância
Co que ele teria sem as duas placas metálicas.
Duas placas de um mesmo metal e com a mesma área de 5,0 cm2, paralelas e próximas entre si, são conectadas aos terminais de um gerador de tensão ajustável. Sobre a placa conectada ao terminal negativo, faz-se incidir radiação e, por efeito fotoelétrico, aparece uma corrente no circuito, cuja relação com a tensão aplicada é explicitada no gráfico. Sabendo que a função trabalho do metal é de 4,1 eV e assumindo que na região de saturação da corrente todo fóton incidente sobre a placa gera um fotoelétron que é coletado, a medida da intensidade dessa radiação em ?W/cm2 é igual a
Considere um capacitor de placas paralelas ao plano yz tendo um campo elétrico de intensidade E entre elas, medido por um referencial S em repouso em relação ao capacitor. Dois outros referenciais, S? e S??, que se movem com velocidade de módulo v constante em relação a S nas direções de x e y, nesta ordem, medem as respectivas intensidades E? e E?? dos campos elétricos entre as placas do capacitor. Sendo 
, pode-se dizer que E?/E e E??/E são, respectivamente, iguais a
, pode-se dizer que E?/E e E??/E são, respectivamente, iguais a
É muito comum a ocorrência de impurezas em cristais semicondutores. Em primeira aproximação, a energia de ionização dessas impurezas pode ser calculada num modelo semelhante ao do átomo de hidrogênio. Considere um semicondutor com uma impureza de carga +e atraindo um elétron de carga ?e. Devido a interações com os átomos da rede cristalina, o elétron, no semicondutor, possui uma massa igual a mrm0, em que m0 é a massa de repouso do elétron e mr, uma constante adimensional. O conjunto impureza/elétron está imerso no meio semicondutor de permissividade relativa ?r. A razão entre a energia de ionização desta impureza e a energia de ionização do átomo de hidrogênio é igual a
Assinale a alternativa que expressa o trabalho necessário para colocar cada uma de quatro cargas elétricas iguais, q, nos vértices de um retângulo de altura ? e base 2??2, sendo k = 1/4??0, em que ?0 é a permissividade elétrica do vácuo.
