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Um diodo de silício opera com fator de idealidade ? = 2 e tensão térmica VT = 25 mV. Sabe-se que, para uma corrente direta de I? = 1 mA, a tensão de junção assume um valor de referência VD1. Ao aumentar a corrente para I? = 100 mA, a variação de tensão na junção ?VD = VD2 ? VD1 pode ser definida aproximadamente por:
Um regulador de tensão Zener é projetado para alimentar um sistema lógico digital com tensão de referência de 5,1 V. A tensão de entrada do arranjo não regulada pode variar de 12 V a 24 V, enquanto a corrente demandada pela carga pode variar de 10 mA a 40 mA.
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Considerando que o regulador deve operar de forma adequada em todas as condições de operação possíveis, o valor máximo projetado para o “casamento” da resistência série RS , o qual garante que o sistema não saia da faixa de regulação em nenhuma condição, é de aproximadamente:
Para que ocorra a manutenção de um equipamento eletrônico, necessita-se substituir um diodo presente em um circuito retificador que opera em frequência da ordem de 300 MHz. Ao analisar o componente original, verifica-se que o mesmo possui uma queda de tensão direta de aproximadamente 0,25 V e que sua construção utiliza uma junção entre um metal e um cristal de silício dopado tipo n — característica que elimina a formação de cargas armazenadas na junção e, consequentemente, o tempo de recuperação reversa do dispositivo. O diodo que atende às características descritas está corretamente indicado na alternativa:

Sobre materiais semicondutores avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.


( ) Estes materiais são chamados de SEMIcondutores por possuírem capacidade de conduzir apenas em uma direção.

( ) O Boro é um material semicondutor.

( ) Os materiais do tipo P se caracterizam pelo excesso de íons positivos (prótons) e os do tipo N se caracterizam pelo excesso de íons negativos (elétrons).


Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:

Observe a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.

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Para um diodo de silício com V? = 0,7V e RD = 10?, inserido nesse circuito, a corrente elétrica ID, em miliampères, será