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Concurso:
EMGEPRON
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Uma diferença fundamental entre transistores BJT e CMOS é que:
Concurso:
EMGEPRON
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Em uma situação de projeto há necessidade de se alterar em 180 graus a fase de um sinal analógico. Uma forma de realizar essa operação é com transistor BJT:
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Um circuito com Amplificador Operacional, na configuração de seguidor de tensão, tem largura de banda máxima e ganho
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere as seguintes afirmativas para um transistor de junção bipolar:
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor ideal com ganho de corrente igual a 200 operando na região ativa na figura abaixo.
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a