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Para o circuito representado na figura abaixo, considere o modelo do diodo com queda de tensão constante de 0,7V
quando diretamente polarizado.
A corrente no resistor R1 ( I ) é igual a
A corrente no resistor R1 ( I ) é igual a
Considere as seguintes afirmações sobre materiais semicondutores.
I - Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco.
II - Um semicondutor em temperaturas muito baixas, próximo do zero absoluto, comporta-se como um supercondutor.
III - Um cristal de silício dopado com átomos de Boro (B), com a concentração de 1016 átomos por cm3 , tem as lacunas como portadores de carga majoritários.
IV - Em um cristal de silício em temperatura de 25ºC, a mobilidade eletrônica das lacunas - µp é menor que a mobilidade eletrônica dos elétrons - µn.
Quais estão corretas?
I - Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco.
II - Um semicondutor em temperaturas muito baixas, próximo do zero absoluto, comporta-se como um supercondutor.
III - Um cristal de silício dopado com átomos de Boro (B), com a concentração de 1016 átomos por cm3 , tem as lacunas como portadores de carga majoritários.
IV - Em um cristal de silício em temperatura de 25ºC, a mobilidade eletrônica das lacunas - µp é menor que a mobilidade eletrônica dos elétrons - µn.
Quais estão corretas?
Observe a fonte de alimentação linear, representada no diagrama de blocos mostrado na figura abaixo.
Considere: R = 500&; RL=1k&, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, ² = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Considere: R = 500&; RL=1k&, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, ² = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Observe o oscilador com ponte de Wien representado na figura abaixo.
Considerando a figura acima, analise o seguinte texto.
Se R3 = 600k&, para que o circuito oscile, o valor de R4 é _____.
Se R1 = R2 = 50k&, e C1 = C2 = 2·F, a frequência de ressonância do circuito, é _____.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Considerando a figura acima, analise o seguinte texto.
Se R3 = 600k&, para que o circuito oscile, o valor de R4 é _____.
Se R1 = R2 = 50k&, e C1 = C2 = 2·F, a frequência de ressonância do circuito, é _____.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Observe a figura abaixo, que representa um multivibrador astável com CI 555.
Considere: RA=10k&, RB=5k&, C1=0,20µF, C2=0,01µF
Leia o seguinte trecho, considerando os dados acima.
O período em que a forma de onda de saída fica em nível alto (TALTO) é de _________ms, enquanto o período em que a forma de onda de saída fica em nível baixo (TBAIXO) é de _________ms, gerando uma frequência de oscilação de ____________Hz.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Considere: RA=10k&, RB=5k&, C1=0,20µF, C2=0,01µF
Leia o seguinte trecho, considerando os dados acima.
O período em que a forma de onda de saída fica em nível alto (TALTO) é de _________ms, enquanto o período em que a forma de onda de saída fica em nível baixo (TBAIXO) é de _________ms, gerando uma frequência de oscilação de ____________Hz.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
