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No processo de produção e construção de dispositivos semicondutores, uma das formas de dopagem é realizada com a introdução de impurezas trivalentes a um semicondutor intrínseco.


Nesse caso, o número de elétrons da camada de valência da impureza introduzida, o tipo de material dopado obtido e o portador majoritário de cargas criado nesse material são, respectivamente,

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Considerando os dados do circuito magnético apresentados, a corrente i, em Ampères, necessária para gerar um fluxo magnético no núcleo magnético de 4 Wb é:
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Dado que a relutância do núcleo é 200.103 A.espira/Wb, a relutância do entreferro é 800.103A.espira/Wb e número de espiras é N = 400, o valor aproximado da indutância L do circuito é:
Nas ondas eletromagnéticas, a maneira como os campos se orientam no espaço é conhecida como

Com relação às ondas eletromagnéticas, coloque F (falso) ou V (verdadeiro) nas afirmativas abaixo, assinalando a seguir a opção que apresenta a sequência correta.

( ) O resistor é o único elemento de circuitos que recebe energia e não a devolve.

( ) Quando uma onda eletromagnética incide numa superfície refletora, é exercida uma pressão que pode ser compreendida pela força de Lorentz.

( ) Quando um feixe de vetores de Poyting incide obliquamente em um feixe de vetores dielétrico, há reflexão e refração.

( ) Nenhuma onda eletromagnética é capaz de se refletir em uma superfície condutora perfeita.

( ) A polarização da onda eletromagnética é definida pela polarização do campo magnético.