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Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

O transistor NPN da figura acima está polarizado e operando na região ativa. Nessas condições, o transistor opera com ß = 50 e VBE = 0,6 V. Com base nos dados do circuito, o valor aproximado da corrente IB, em µA, é

Analise o circuito abaixo

A denominação dos dispositivos Q1 e Q2 é:

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Ao contrário de um transistor bipolar, um transistor MOS-FET não pode ser polarizado para atuar como uma chave aberta ou fechada.
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A figura I mostra um transistor do tipo canal P, enquanto a figura II ilustra um transistor do tipo canal N.