Uma junção PN é a estrutura básica de um semicondutor
e é formada pela fusão de dois cristais de silício com
dopagens diferentes (figura 1). A dopagem é a
introdução de átomos na rede de silício (figura 2),
causando carência ou excesso de elétrons e, com isso,
gerando corrente elétrica:
Um elemento que pode ser utilizado para gerar carência de elétrons na rede de um semicondutor de silício é o:
Um elemento que pode ser utilizado para gerar carência de elétrons na rede de um semicondutor de silício é o:
