Questões de Concurso

TJ-RO

Concurso: TJ-RO
Cargo: Analista Judiciário - Engenharia Elétrica
Ano: 2012

Ano:

2012

Banca:

Cebraspe (cespe)

Cargo:

Analista Judiciário - Engenharia Elétrica

Disciplina: Engenharia Eletrônica

FC84374

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Determinada aplicação utiliza um transistor de efeito de campo MOS (metal-óxido silício), com canal N e substrato formado por semicondutor P. Essa aplicação depende do controle da tensão porta-fonte do transistor. Assinale a opção correspondente ao fato que ocorre quando se aplica tensão porta-fonte positiva no transistor.

(a)

Surge um canal com elevada resistência, fazendo que a corrente dreno-fonte fique nula.

(b)

Quanto maior for a tensão porta-fonte, menor será a concentração de elétrons no canal N.

(c)

Quanto maior for a tensão porta-fonte, maior será a resistência do canal.

(d)

Ocorre o alinhamento de elétrons ao canal, na região do substrato entre as duas portas N.

(e)

Elétrons preenchem as lacunas da região N até que, com o excesso de elétrons, o substrato comporta-se como um semicondutor P.