Questões de Concurso

Durante o projeto de um inversor de frequência para acionamento de motores elétricos no laboratório de eletrônica de potência, um aluno analisou o uso de dispositivos semicondutores de chaveamento. Inicialmente, considerou a utilização de um MOSFET para aplicações em alta frequência, mas também avaliou o uso de um IGBT para operação em níveis mais elevados de tensão e potência.

Com base nas características dos dispositivos MOSFET e IGBT, é CORRETO afirmar que:

(a)

O MOSFET apresenta baixíssima impedância de entrada e é controlado por corrente, enquanto o IGBT é controlado exclusivamente por tensão.

(b)

O IGBT combina características do MOSFET e do BJT, sendo geralmente empregado em aplicações de média e alta potência, enquanto o MOSFET é amplamente utilizado em chaveamentos de alta frequência.

(c)

O MOSFET é recomendado exclusivamente para aplicações em baixa tensão contínua, não podendo operar em circuitos de chaveamento.

(d)

O IGBT possui velocidade de chaveamento superior à do MOSFET, sendo sempre preferido em frequências muito elevadas.

(e)

Tanto o MOSFET quanto o IGBT operam obrigatoriamente em saturação contínua, não sendo adequados para aplicações de chaveamento eletrônico.