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Concurso:
UFC - CE
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
No projeto de placas de circuito impresso de alta velocidade (High-Speed Design), o fenômeno do crosstalk (diafonia) decorre do acoplamento eletromagnético entre trilhas adjacentes, podendo comprometer a integridade dos sinais. Considerando as boas práticas de layout e sua avaliação em softwares EDA, assinale a alternativa que descreve corretamente uma estratégia eficaz para mitigar esse fenômeno.
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Um circuito com Amplificador Operacional, na configuração de seguidor de tensão, tem largura de banda máxima e ganho
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere as seguintes afirmativas para um transistor de junção bipolar:
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor ideal com ganho de corrente igual a 200 operando na região ativa na figura abaixo.
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Analisando a curva de um dispositivo real comercialmente disponível, na figura da curva característica do diodo de silício abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos,11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.
I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão VD através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando VD = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de VD = 0 V.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos,11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.
I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão VD através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando VD = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de VD = 0 V.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)
