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Vamos considerar um MOSFET em configuração de dreno comum (seguidor de fonte) em que a resistência de carga, Rl, é igual a 2 KΩ. Se o MOSFET apresenta uma transcondutância, gm, de 3mS, assinale a alternativa que apresenta o ganho de tensão desta configuração.
Um transistor BJT pode apresentar diferentes regiões de operação. Uma delas é a de saturação deste, em que: ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna.

Analise o circuito com diodo de silício a seguir (condução a partir de 0,7V). A entrada Vi( t ) = 120 sen(2π60t) (V). Os valores dos resistores estão em Ω. O amplificador operacional pode ser considerado ‘ideal’, isto é, com ganho muito alto (> 100.000) e sem limites de excursão de tensão de saída.

Imagem associada para resolução da questão

Diante do exposto acima, assinale a alternativa que apresenta o sinal de saída Vo ( t ).

Analise o circuito abaixo.


Imagem associada para resolução da questão

Um sinal de saída Vo(t) é gerado a partir de uma entrada Vi(t). Os valores dos resistores estão em Ω e dos capacitores em F. Os amplificadores operacionais podem ser considerados ‘ideais’, isto é, com ganho muito alto (> 100.000) e sem limites de excursão de tensão de saída. Nestas condições, considerando que o circuito apresenta uma função de transferência no domínio ‘s’, assinale a alternativa que apresenta seus polos e zeros.


Considere um circuito RLC série com R=20 Ω, L=0,5 H e C=50 μF. Se a resposta do circuito é subamortecida, o fator de amortecimento ζ é dado por ______. Assinale a alternativa que preencha corretamente a lacuna.