Questões da prova:
FADESP - 2025 - UNIFESSPA - Universidade Federal do Sul e Suldeste do Pará - Técnico de Laboratório - Área Automação Industrial (Nível Médio)
limpar filtros
50 Questões de concurso encontradas
Página 3 de 10
Questões por página:
Questões por página:
Disciplina:
Eletrônica
Analisando as curvas características de um transistor de junção bipolar na configuração emissor comum, para diferentes correntes de base, na figura abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Eletrônica, Vol.1.8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Fonte: Eletrônica, Vol.1.8ª edição, Malvino, A.; Bates, D.
I. Na região ativa, cada corrente do coletor IC é 100 vezes maior que sua corrente de base correspondente.
II. A corrente de coletor é constante na região ativa.
III. Nas regiões ativas, o beta cc é igual a 100.
IV. Na região de saturação, a corrente do coletor IC não é igual a zero quando a corrente da base IB equivale a zero.
São verdadeiras as afirmativas
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere as seguintes afirmativas para um transistor de junção bipolar:
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
I. O alfa cc de um transistor é definido como a corrente cc do coletor dividida pela corrente cc da base.
II. A polarização da base é usada quando se deseja que o transistor funcione como chave.
III. Em um transistor, a camada de depleção do diodo coletor é mais estreita que a camada de depleção do diodo emissor.
IV. O ponto de interseção superior da reta de carga é chamado saturação e o ponto de interseção inferior é chamado corte.
São verdadeiras as afirmativas
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Considere um transistor ideal com ganho de corrente igual a 200 operando na região ativa na figura abaixo.
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
O seu ponto quiescente de operação possui corrente de coletor, em mA, e tensão entre emissor e coletor, em V, respectivamente, iguais a
Disciplina:
Eletrônica
Na figura abaixo, os valores da corrente de saturação, em mA, e da tensão de corte, em V, são, respectivamente, de
Disciplina:
Engenharia Eletrônica
Analisando a curva de um dispositivo real comercialmente disponível, na figura da curva característica do diodo de silício abaixo, considere as seguintes afirmativas:
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos,11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.
I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão VD através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando VD = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de VD = 0 V.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)
Fonte: Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos,11ª edição, Boylestad, R.L; Nashelsky, L.
I. Para uma corrente ID de 9 mA, a tensão VD através do diodo é 0,8 V.
II. O nível de resistência cc do diodo quando VD = - 20 V é igual a 400 GΩ.
III. O diodo começa a conduzir a partir de VD = 0 V.
É(São) verdadeira(s) a(s) afirmativa(s)